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HNP32N055ILE
N沟道 耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有30A的持续漏极电流能力和60V的漏源电压耐受值，适用于需要高效率开关操作的应用场景。其导通电阻仅为22毫欧姆，确保了在工作时维持较低的功耗与温度上升。栅源电压范围为20V，提供了良好的驱动兼容性。凭借这些特性，该MOSFET非常适合于电源管理、信号转换及放大等场合，在保证系统稳定的同时实现高效能表现。
- 商品型号
- HNP32N055ILE
- 商品编号
- C42401240
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.379克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.378nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 5 个)个
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