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HFDMS86101
耐压:100V 电流:75A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）设计有80A的最大排水电流（ID），耐压值（VDSS）达到100V，适用于要求严苛的高电流应用中。其导通电阻（RDSON）为6.4毫欧，在20V的栅源电压（VGS）条件下，能够提供较低的导通损耗，适合用于高性能开关电源、消费电子产品中的电源管理模块及各类需要高效能量转换的场合，确保了电路设计的灵活性与高效性。
- 商品型号
- HFDMS86101
- 商品编号
- C42401236
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.133333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 97W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 39.4nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.944nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.04pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 736pF |
商品概述
HSTS10P3LLH6采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V ID = -11A
- RDS(ON) < 16mΩ @ VGS = 10V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- P沟道MOSFET