温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HSTS10P3LLH6
P沟道 耐压:30V 电流:11A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这款P沟道场效应管（MOSFET）具备11A的连续排水电流（ID），并能在高达30V（VDSS）的工作电压下稳定运行。其导通电阻（RDSON）为13毫欧，在20V的栅源电压（VGS）控制下，可以实现有效的电流控制与节能效果。此MOSFET适用于各种电子设备中的负载开关、电源管理和逻辑电平转换等应用，为设计者提供了可靠的解决方案。
- 商品型号
- HSTS10P3LLH6
- 商品编号
- C42401237
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.129克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 156pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 183pF |
商品概述
HAOTF10N65可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 220F，符合RoHS标准。
商品特性
- VDS = 650 V，ID = 10 A
- RDS(ON) < 1.05 Ω @ VGS = 10 V
应用领域
- 适配器和充电器的功率开关电路。