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HCSD18533Q5A
耐压:60V 电流:80A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有80A的连续排水电流（ID），可在最高60V（VDSS）的电压下工作，展现了其在高功率密度应用中的潜力。该MOSFET的导通电阻（RDSON）仅为5.3毫欧，在25V的栅源电压（VGS）驱动下能有效降低功耗，适用于需要高效能转换的场合，如电源适配器、LED照明驱动以及便携设备的电池管理等，有助于提升系统的整体效率与可靠性。
- 商品型号
- HCSD18533Q5A
- 商品编号
- C42401235
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 108W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.136nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 257pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 286pF |
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