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HSQ1563AEHT1GE3
N沟道+P沟道 耐压:20V 电流:0.75A
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- 描述
- 这款场效应管（MOSFET）属于N+P沟道类型，具备0.8A的最大漏极电流（ID），能够承受高达20V的漏源电压（VDSS）。其低至320毫欧的导通电阻（RDSON）有助于减少能量损耗。该MOSFET支持±12V范围内的栅源电压（VGS），适合用于多种电子设备中的信号放大、逻辑电路或开关应用，同时在小型化的电源管理和消费类电子产品中的性能表现尤为突出。
- 商品型号
- HSQ1563AEHT1GE3
- 商品编号
- C42401233
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0255克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 750mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 120pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品概述
HDMN6140L13采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 3A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 85mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源