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HSQD45P0312GE3
P沟道 耐压:30V 电流:70A
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- 描述
- 这款P沟道场效应管（MOSFET）具有80A的连续漏极电流（ID），能够在30V的最大漏源电压（VDSS）下稳定工作。其导通电阻（RDSON）低至5.5毫欧，确保了高电流应用中的能效。该MOSFET支持±25V的栅源电压（VGS），适用于需要高效能开关特性的场合，例如高性能计算设备的电源管理单元、便携式充电设备以及其他注重能耗比的设计中作为负载开关或电源路径控制元件。
- 商品型号
- HSQD45P0312GE3
- 商品编号
- C42401234
- 商品封装
- TO-252-2L(TO-252AA)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.382克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 90W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.45nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 255pF |
商品概述
HSQD45P0312GE3采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V,ID = -70A
- 在VGS = -10V时,RDS(ON) < 10mΩ
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源