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HAO5800E
N沟道 耐压:60V 电流:0.115A
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- 描述
- 这款N+N沟道场效应管(MOSFET)具有0.1A的最大连续漏极电流ID，适用于低功率电路设计。其额定漏源电压VDSS达到60V，导通电阻RDON为1300mΩ，确保了在有限电流条件下的稳定性能。栅源电压VGS工作范围是-20V至+20V，适合需要精确控制的应用场合。该MOSFET广泛应用于消费电子产品、小型家用设备及各种便携式装置中的开关控制与电源管理功能。
- 商品型号
- HAO5800E
- 商品编号
- C42401231
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
HAO5800E采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V,ID = 0.115A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 3Ω
应用领域
- 无线充电
- 升压驱动器
- 无刷电机