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H2N7002DW7F
N沟道 耐压:60V 电流:0.115A
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- 描述
- 这款N+N沟道场效应管(MOSFET)专为精密控制而设计，其最大连续漏极电流ID为0.1A，适合低功耗应用。该器件能够承受高达60V的漏源电压VDSS，并具有1300mΩ的导通电阻RDON，确保了良好的开关性能。支持-20V到+20V的栅源电压VGS范围，使其在需要精细调节电流的场合中表现出色。适用于便携式设备、家用电器及小型电子项目中的电源管理和信号处理等场景。
- 商品型号
- H2N7002DW7F
- 商品编号
- C42401230
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0245克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
H2N7002DW7F采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至 4.5 V 的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- V D S = 60V,I D = 0.115A
- 在 V G S = 10V 时,R D S (ON) < 3 Ω
应用领域
- 无线充电
- 升压驱动器
- 无刷电机