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HNTH4L045N065SC1
ID:49A VDSS:650V RDON:33mR N沟道
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- 描述
- 此款碳化硅场效应管（MOSFET）具备49A的额定电流（ID），650V的断态漏源电压（VDSS），极低的导通电阻（RDON）仅为33毫欧，支持-5至+20V的栅源电压（VGS），是N沟道类型的高性能半导体器件。它在电源转换、可再生能源系统及精密电子设备中的高频开关电源等应用中展现出卓越的效率和稳定性，特别适合于需要高效能管理和控制的电路设计。
- 商品型号
- HNTH4L045N065SC1
- 商品编号
- C42389150
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.76克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 49A | |
| 耗散功率(Pd) | 242W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 96nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.823nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 190pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 49mΩ |
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