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HSCTWA35N65G2V
ID:49A VDSS:650V RDON:33mR N沟道
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- 描述
- 此款碳化硅场效应管（MOSFET）具有49A的最大连续漏极电流（ID），650V的断态漏源电压（VDSS），导通电阻（RDON）仅为33毫欧，支持-5至+20V的栅源电压（VGS），属于N沟道类型。其出色的电气性能和可靠性，使之成为电源转换、逆变器以及精密电子设备中高频开关电源应用的理想选择，能够有效提升系统的效率和稳定性。
- 商品型号
- HSCTWA35N65G2V
- 商品编号
- C42389162
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 49A | |
| 耗散功率(Pd) | 242W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 96nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.823nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 190pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 49mΩ |