温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HIMZA120R040M1HXKSA1
ID:78A VDSS:1200V RDON:40mR N沟道
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 该款碳化硅场效应管（MOSFET）具有78A的连续电流（ID）承载能力，以及高达1200V的断态电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）为40毫欧，有助于降低能耗，提升系统效率。此器件为N沟道类型，设计有18V的最大栅源电压（VGS），支持高效稳定的开关操作。适用于需要高性能电力转换的应用中，如精密电源管理和逆变技术领域，能够提供可靠的电力控制解决方案。
- 商品型号
- HIMZA120R040M1HXKSA1
- 商品编号
- C42389169
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.24克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 78A | |
| 耗散功率(Pd) | 405W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 131nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.101nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 161pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ |