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HIGLR65R140D2

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描述: 这款氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）具有10安培的连续漏极电流(ID)能力和650伏特的漏源电压(VDSS)，导通电阻仅为160毫欧姆(RDON)，能够在高电压下保持较低的功耗。其栅源电压范围从-1.4伏特到+7伏特(VGS)，适用于N型电路设计。该器件以其优异的开关性能和低损耗特性，非常适合于高效电源转换、消费电子产品等需要快速响应和高效率的应用场合。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HIGLR65R140D2
商品编号: C42389175
商品封装: DFN-8(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.3克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	氮化镓晶体管(GaN HEMT)
	类型	1个N沟道

	属性	参数值
	漏源电压(Vdss)	650V
	导通电阻(RDS(on))	160mΩ@6V