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HIGLR65R140D2
HIGLR65R140D2
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- 描述
- 这款氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）具有10安培的连续漏极电流(ID)能力和650伏特的漏源电压(VDSS)，导通电阻仅为160毫欧姆(RDON)，能够在高电压下保持较低的功耗。其栅源电压范围从-1.4伏特到+7伏特(VGS)，适用于N型电路设计。该器件以其优异的开关性能和低损耗特性，非常适合于高效电源转换、消费电子产品等需要快速响应和高效率的应用场合。
- 商品型号
- HIGLR65R140D2
- 商品编号
- C42389175
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.3nC | |
| 输入电容(Ciss) | 83pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 27pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@6V |
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