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HFFSD1065BF085
碳化硅肖特基二极管
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- 描述
- 这款碳化硅二极管具有10安培的正向电流（IF/A），能够承受最高650伏特的反向电压（VR/V）。在其正向导通状态下的电压降（VF/V）仅为1.3伏特，有助于减少能量损耗。此外，该二极管在反向偏置条件下展示出微安级别的极低反向漏电流（IR/uA：50），表明其拥有良好的阻断性能。峰值瞬态电流（IFSM/A）可达80安培，适用于高频开关及电源整流等要求苛刻的应用中，确保了高效的电力转换与可靠的电路保护。
- 商品型号
- HFFSD1065BF085
- 商品编号
- C42389212
- 商品封装
- TO-252-2L(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.428克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅二极管 | |
| 二极管配置 | 1个独立式 | |
| 整流电流 | 30A | |
| 正向压降(Vf) | 1.5V@10A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流反向耐压(Vr) | 650V | |
| 反向电流(Ir) | 50uA@650V | |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | 80A | |
| 工作结温范围 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 由于低VF，导通损耗低
- 通过微小的QC实现极低的开关损耗
- 由于更好的抗浪涌电流能力，具有高鲁棒性
- 工业标准的质量和可靠性
应用领域
- 不间断电源
- 功率逆变器
- 高性能开关电源
- 功率因数校正