HC6D06065E

碳化硅肖特基二极管

描述

这款碳化硅二极管具有6安培的最大正向电流（IF/A），并且能够承受最高650伏特的反向电压（VR/V）。其正向压降（VF/V）仅为1.3伏特，在确保高效导电的同时，有效降低了能量损耗。该二极管在反向偏置条件下，漏电流（IR/uA）控制在50微安以下，表明其在关闭状态下的漏电极低。此外，它拥有高达48安培的瞬态浪涌电流能力（IFSM/A），能够在短时间内处理较大的电流波动而不损坏。这些特性使得它适用于高频开关电源、逆变器以及其他需要高效率和可靠性的电子设备中。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

HC6D06065E

商品编号

C42389270

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.48克(g)