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HIDK10G65C5XTMA2
碳化硅肖特基二极管
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- 描述
- 这款碳化硅二极管具备10安培的正向电流（IF）承载能力，并能承受650伏特的反向电压（VR）。其正向电压降（VF）为1.3伏特，有助于提升电路效率。反向漏电流（IR）控制在50微安以内，展现了良好的阻断性能。此外，瞬态正向浪涌电流（IFSM）可以达到80安培，适合应用于需要快速切换且对电流峰值有一定要求的场景中，如高性能电源转换和其他需要可靠二极管性能的技术领域。
- 商品型号
- HIDK10G65C5XTMA2
- 商品编号
- C42389306
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅二极管 | |
| 二极管配置 | 1个独立式 | |
| 整流电流 | 30A | |
| 正向压降(Vf) | 1.3V@10A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流反向耐压(Vr) | 650V | |
| 反向电流(Ir) | 50uA@650V | |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | 80A | |
| 工作结温范围 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 由于低正向压降，导通损耗低
- 由于极小的反向恢复电荷，开关损耗极低
- 由于更好的浪涌电流能力，具有高鲁棒性
- 工业标准的质量和可靠性
应用领域
- 不间断电源
- 功率逆变器
- 高性能开关电源
- 功率因数校正