HIDM02G120C5

碳化硅肖特基二极管

描述

这款碳化硅二极管具有2A的正向电流（IF），并支持高达1200V的反向电压（VR），适用于需要高电压隔离的应用。其正向电压（VF）为1.4V，有效降低了导通时的能量损失。反向漏电流（IR）仅为8微安，在确保低功耗的同时提供了优异的绝缘性能。瞬态正向电流能力（IFSM）为24A，使其能够在遭遇短暂电流波动时依然保持稳定。这些特点使得该二极管在高电压、小封装尺寸且需低能耗的解决方案中尤为适用。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

HIDM02G120C5

商品编号

C42389291

商品封装

TO-252-2L(DPAK)​

包装方式

编带

商品毛重

0.46克(g)