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HNXPSC04650D6J
碳化硅肖特基二极管
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- 描述
- 这款碳化硅二极管具有4A的正向电流（IF）和650V的反向击穿电压（VR），能够在高功率密度设计中提供可靠的性能。其正向电压降（VF）仅为1.3V，在大电流工作条件下能有效降低功耗。反向漏电流（IR）控制在50微安，在非导通状态下确保了低功耗。瞬态正向浪涌电流（IFSM）可达36A，适用于需要承受短时电流峰值的应用环境。此二极管的特性使其成为需要高效能和稳定性的电路设计中的理想选择。
- 商品型号
- HNXPSC04650D6J
- 商品编号
- C42389307
- 商品封装
- TO-252-2L(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.47克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅二极管 | |
| 二极管配置 | 1个独立式 | |
| 整流电流 | 14A | |
| 正向压降(Vf) | 1.3V@4A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流反向耐压(Vr) | 650V | |
| 反向电流(Ir) | 10uA@650V | |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | 36A | |
| 工作结温范围 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 由于低正向电压VF，具有低导通损耗
- 通过极小的反向恢复电荷QC，实现极低的开关损耗
- 得益于更好的浪涌电流能力，具备高鲁棒性
- 符合工业标准的品质与可靠性
应用领域
- 不间断电源
- 功率逆变器
- 高性能开关电源
- 功率因数校正