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HMUN5233T1G
NPN
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- 描述
- 这款数字晶体管为NPN型，具有稳固的性能表现。它拥有50V的集射极击穿电压（Vceo），能够有效防止电压过高导致的损坏。其集电极电流（Ic）可达100mA，适合用于要求不高且稳定的电流控制场合。此元件适用于消费电子产品中作为开关或小信号放大的基础组件，如在日常电子玩具、遥控装置以及家用电器的小型控制系统中发挥关键作用。
- 商品型号
- HMUN5233T1G
- 商品编号
- C42389351
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0245克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个NPN-预偏置 | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 80@10mA,5V | |
| 最小输入电压(VI(on)) | 1.3V@5mA,0.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | 500mV@100uA,5V | |
| 输出电压(VO(on)) | 300mV | |
| 输入电阻 | 4.7kΩ | |
| 电阻比率 | 10 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路（参见等效电路）。
- 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入进行负偏置。它们还具有几乎完全消除寄生效应的优点。
- 操作时只需设置开/关状态，使器件设计变得简单