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HDTB143ECT116
PNP
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- 描述
- 此款数字晶体管为PNP型，具备坚固的设计，适用于多种电子应用。它拥有50V的集射极击穿电压（Vceo），确保了在处理高压信号时的安全性和可靠性。该晶体管能够承载高达100mA的集电极电流（Ic），这使得它成为驱动各类小型电子装置的理想选择。无论是用于信号放大还是作为开关元件，此款晶体管都能在消费类电子产品及日常家用设备中发挥其优良性能。
- 商品型号
- HDTB143ECT116
- 商品编号
- C42389366
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | - | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 30@10mA,5V | |
| 最小输入电压(VI(on)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | 500mV | |
| 输出电压(VO(on)) | 300mV | |
| 输入电阻 | 4.7kΩ | |
| 电阻比率 | 1 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路（参见等效电路）。
- 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置。它们还具有几乎完全消除寄生效应的优点。
- 操作时只需设置开/关状态，使器件设计变得简单。