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HRN1910LF
NPN+NPN Vceo:50V 电流(Ic): 100mA
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- 描述
- 这款数字晶体管属于NPN+NPN类型，具备稳定的电气特性，适用于多种电子电路设计。其集射极击穿电压（Vceo）高达50V，确保了在高压环境下工作的可靠性。集电极最大电流（Ic）为100mA，适用于驱动各类小型负载或信号放大场合。该晶体管的最大耗散功率（Pd）为150mW，在保证效率的同时，也考虑到了散热与稳定性之间的平衡。适用于音频处理、通信设备中的信号放大及开关应用等场景。
- 商品型号
- HRN1910LF
- 商品编号
- C42389350
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026263克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | - | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 100@1mA,5V | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最小输入电压(VI(on)) | - | |
| 最大输入电压(VI(off)) | - | |
| 输出电压(VO(on)) | - | |
| 输入电阻 | 6.11kΩ | |
| 电阻比率 | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 封装内包含两个DTC143T芯片
- 晶体管元件相互独立，可消除干扰
- 安装成本和面积可减半