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HDDTC143ECA7F
NPN
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- 描述
- 这款数字晶体管为NPN型，具备稳定的电气性能。其集射极击穿电压（Vceo）可达50V，适用于多种电路设计中作为开关或放大元件。该晶体管的最大集电极电流（Ic）为100mA，能满足一般电子设备对电流控制的需求。此外，它能承受的最大功率损耗（Pd）为200mW，在设计紧凑型电子产品时提供了可靠的保障。此款晶体管凭借其合理的参数配置，适用于消费电子产品的信号处理及逻辑门电路构建中。
- 商品型号
- HDDTC143ECA7F
- 商品编号
- C42389348
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027273克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个NPN-预偏置 | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 直流电流增益(hFE) | 80@10mA,5V | |
| 最小输入电压(VI(on)) | 1.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | 500mV | |
| 输出电压(VO(on)) | 300mV | |
| 输入电阻 | 6.11kΩ | |
| 电阻比率 | 1.2 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 特征频率(fT) | 250MHz |
商品特性
- 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。
- 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入进行负偏置。它们还具有几乎完全消除寄生效应的优点。
- 操作时只需设置开/关条件，使器件设计变得简单。