HBCP56T1G
hFE:100-250 NPN 电流:1A 电压:80V
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- 描述
- 该款NPN型三极管(BJT)具备1A的集电极最大电流(IC)承载能力和80V的最高集电极发射极电压(VCEO),适合用于各种电路设计。其共射极电流增益(HFE)在100至250之间,适用于要求稳定的放大场合。此外,该三极管拥有高达100MHz的特征频率(FT),意味着它能够在高频电路中保持良好的性能,是构建放大器或用于高频信号处理的理想选择。在音频放大、无线电信号处理等领域中,这款三极管能够提供可靠且高效的解决方案。
- 商品型号
- HBCP56T1G
- 商品编号
- C42389323
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.146734克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 1A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 80V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 63@150mA,2V | |
| 特征频率(fT) | 100MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 500mV@500mA,50mA | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V |
