我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单工业品PCB/SMT面板定制
HBCP56T1G实物图
  • HBCP56T1G商品缩略图
  • HBCP56T1G商品缩略图
  • HBCP56T1G商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HBCP56T1G

hFE:100-250 NPN 电流:1A 电压:80V

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
该款NPN型三极管(BJT)具备1A的集电极最大电流(IC)承载能力和80V的最高集电极发射极电压(VCEO),适合用于各种电路设计。其共射极电流增益(HFE)在100至250之间,适用于要求稳定的放大场合。此外,该三极管拥有高达100MHz的特征频率(FT),意味着它能够在高频电路中保持良好的性能,是构建放大器或用于高频信号处理的理想选择。在音频放大、无线电信号处理等领域中,这款三极管能够提供可靠且高效的解决方案。
商品型号
HBCP56T1G
商品编号
C42389323
商品封装
SOT-223​
包装方式
编带
商品毛重
0.146734克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录三极管(BJT)
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)1A
集射极击穿电压(Vceo)80V
耗散功率(Pd)1.5W
属性参数值
直流电流增益(hFE)63@150mA,2V
特征频率(fT)100MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集射极饱和电压(VCE(sat))500mV@500mA,50mA
射基极击穿电压(Vebo)5V

数据手册PDF