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HKRC406ERTKP
NPN
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- 描述
- 该数字晶体管采用NPN结构，具备50V的集射极击穿电压（Vceo），能够承受最大100mA的集电极电流（Ic），其功率耗散能力达到150mW。这款晶体管适用于多种电子电路设计中，如开关、放大器等，能够提供可靠的性能和长久的使用寿命。在信号处理或需要低至中等电流控制的应用场景下，它是一个理想的选择。
- 商品型号
- HKRC406ERTKP
- 商品编号
- C42389345
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.021717克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个NPN-预偏置 | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 直流电流增益(hFE) | 80 | |
| 最小输入电压(VI(on)) | 1.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | 500mV | |
| 输出电压(VO(on)) | 300mV | |
| 输入电阻 | 6.11kΩ | |
| 电阻比率 | 12 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 特征频率(fT) | 250MHz |
商品特性
- 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。
- 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入进行负偏置。它们还具有几乎完全消除寄生效应的优点。
- 操作时只需设置开/关状态，使器件设计变得简单。