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HMUN5211T1G
NPN
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- 描述
- 这款数字晶体管为NPN型，具备50V的集射极击穿电压（Vceo），能够在较高电压的应用环境中保持稳定工作。其集电极电流（Ic）为50mA，适用于需要精确电流控制的应用，如消费电子产品的信号放大或开关功能。这种晶体管可以应用于各种小型电子设备中，实现信号增强或逻辑门电路的设计，是构建高性能电路的理想选择。
- 商品型号
- HMUN5211T1G
- 商品编号
- C42389352
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.021212克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个NPN-预偏置 | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 30@5mA,5V | |
| 最小输入电压(VI(on)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | 500mV | |
| 输出电压(VO(on)) | 300mV | |
| 输入电阻 | 13kΩ | |
| 电阻比率 | 1.2 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路（参见等效电路）。
- 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入进行负偏置。它们还具有几乎完全消除寄生效应的优点。
- 操作时只需设置开/关状态，使器件设计变得简单