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HMUN2233T1G
HMUN2233T1G
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- 描述
- 这款NPN型数字晶体管拥有50V的集射极击穿电压（Vceo），支持最大100mA的集电极电流（Ic），功率耗散能力为200mW。它适用于需要精确控制和稳定性能的各种电子电路，如信号放大、开关控制等。该晶体管在处理低至中等功率需求的应用中表现出色，是设计者构建高效、紧凑型电子设备的理想选择。
- 商品型号
- HMUN2233T1G
- 商品编号
- C42389347
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027778克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个NPN-预偏置 | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 直流电流增益(hFE) | 80 | |
| 最小输入电压(VI(on)) | 1.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | 500mV@100uA,5V | |
| 输出电压(VO(on)) | 300mV | |
| 输入电阻 | 6.11kΩ | |
| 电阻比率 | 10 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 特征频率(fT) | 250MHz |
商品特性
- 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。
- 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入进行负偏置。它们还具有几乎完全消除寄生效应的优点。
- 操作时只需设置开/关状态，使器件设计变得简单。