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HMMDT54017F
hFE:100-200 PNP+PNP 电流:200mA 电压:150V
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- 描述
- 这款双PNP结构的三极管（BJT），具有0.2A的集电极电流IC，集射极间耐压VCEO高达150V，电流增益HFE在100到200之间，特征频率FT为100MHz。该三极管凭借其稳定的性能和较高的电流放大能力，适用于多种精密电路设计，如信号放大、开关控制及电源管理等应用场景，能够满足对性能和可靠性有较高要求的电子项目需求。
- 商品型号
- HMMDT54017F
- 商品编号
- C42389332
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.17克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP+PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 200mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 150V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 50@1mA,5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 100MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 50nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 500mV@50mA,5mA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V |
商品特性
- 外延平面管芯结构。
- 非常适合低功率放大和开关应用。