HC6D04065E

碳化硅肖特基二极管

描述

此款碳化硅二极管设计有4安培的最大正向电流（IF/A），能承受高达650伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）为1.3伏特，有助于减少能耗并提高效率。在反向偏置状态下，其漏电流（IR/uA）不超过50微安，显示了良好的阻断性能。该二极管还具备36安培的峰值浪涌电流（IFSM/A），能够在极端情况下提供额外的安全裕量。这些特性使其非常适合应用于需要快速切换及稳定性能的电路中，如高频开关电源转换和逆变技术等领域。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

HC6D04065E

商品编号

C42389271

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.47克(g)