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HC6D10065G

碳化硅肖特基二极管

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描述
这款碳化硅二极管设计精良,具备10安培的额定正向电流IF和650伏特的反向峰值电压VR,满足高功率应用需求。其正向压降VF仅为1.3伏特,有助于降低功耗并提高效率。反向漏电流IR控制在50微安,确保设备在高温工作环境中的稳定性。最大非重复正向浪涌电流IFSM为80安培,增强了器件的抗冲击能力。适用于高频开关电源、光伏逆变器等高效率、高可靠性要求的电路设计中。
商品型号
HC6D10065G
商品编号
C42389267
商品封装
TO-263​
包装方式
编带
商品毛重
1.91克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录碳化硅二极管
整流电流30A
正向压降(Vf)1.3V@10A
直流反向耐压(Vr)650V
属性参数值
反向电流(Ir)50uA@650V
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)80A
工作结温范围-55℃~+175℃

数据手册PDF