HCMS120N080WK

ID:32A VDSS:1200V RDON:75mR N沟道

描述

这款N沟道碳化硅场效应管(MOSFET)具有良好的电气特性，最大漏极电流ID可达32A，支持1200V的漏源电压VDSS，适合高压环境下的应用。其导通电阻RDON为75mΩ，有助于降低功耗并提高效率。该MOSFET的工作栅源电压VGS为15V，确保了在多种电子设计中的兼容性与灵活性。凭借快速的开关速度和低损耗特点，它非常适合要求高效能和高可靠性的电力转换及控制方案中使用。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

HCMS120N080WK

商品编号

C42389170

商品封装

TO-247-4L​

包装方式

管装

商品毛重

8.072克(g)