HUF3C120150K4S

ID:19A VDSS:1200V RDON:160mR N沟道

描述

这款碳化硅场效应管（MOSFET）属于N沟道类型，其最大导通电流（ID/A）为19A，在保证安全工作的前提下，可以承受的最大漏源电压（VDSS/V）为1200V。该器件的导通电阻（RDSON/mΩ）仅为160毫欧，这有助于减少能量损耗，提高效率。栅源电压（VGS/V）的最大值为20V，确保了可靠的开关性能。此MOSFET适用于需要高电压、低损耗及高效能的应用场合，如电源转换和管理等。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

HUF3C120150K4S

商品编号

C42389171

商品封装

TO-247-4L​

包装方式

管装

商品毛重

8.072克(g)