HSTPSC10H065GTR

碳化硅肖特基二极管

描述

这款碳化硅二极管具有10A的正向电流（IF/A），能够在确保效率的同时处理较大的电流。其反向击穿电压（VR/V）为650V，提供了可靠的耐压性能，适用于需要高电压稳定性的电路设计。该二极管的正向电压降（VF/V）仅为1.3V，在大电流工作条件下能有效降低能量损耗。此外，它拥有50微安的反向漏电流（IR/uA），表明即使在反向偏置下也有较低的漏电，增强了整体的稳定性。瞬态状态下的最大正向电流（IFSM/A）可以达到80A，使得该二极管能够承受短时过载而不损坏。这些特性使其成为高性能电源管理解决方案中的理想选择。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

HSTPSC10H065GTR

商品编号

C42389194

商品封装

TO-263(D2PAK)​

包装方式

编带

商品毛重

1.9克(g)