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HSCT3160KLGC11
ID:18A VDSS:1200V RDON:160mR N沟道
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- 描述
- 这款碳化硅场效应管（MOSFET）属于N沟道类型，其最大工作电流ID为18A，可承受的最大漏源电压VDSS为1200V。导通电阻RDSON低至160毫欧，适用于需要高效能转换的应用中，能够在高达20V的栅源电压VGS下正常工作。这些特性使得该元件成为高频率开关电源设计中的理想选择，能够帮助实现更紧凑、高效的电路设计。
- 商品型号
- HSCT3160KLGC11
- 商品编号
- C42389172
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 606pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 55pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 196mΩ |