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HIMZA65R030M1HXKSA1
ID:97A VDSS:650V RDON:25mR N沟道
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- 描述
- 这款碳化硅场效应管（MOSFET）属于N沟道类型，具有97A的最大电流承载能力（ID/A），以及650V的最大漏源电压（VDSS/V）。其导通电阻（RDSON）仅为25毫欧（mΩ），能够在高电压下保持较低的功耗。该MOSFET设计有±5至+20V的栅源电压范围（VGS/V），适用于需要高效率、高频开关特性的应用场合。其出色的电气特性使其成为高性能电源转换器及逆变电路的理想选择。
- 商品型号
- HIMZA65R030M1HXKSA1
- 商品编号
- C42389166
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.88克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 97A | |
| 耗散功率(Pd) | 429W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 172nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.28nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 359pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ |