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HE3M0045065K
ID:49A VDSS:650V RDON:33mR N沟道
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- 描述
- 此款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具备49A的连续电流能力（ID/A），最大漏源电压可达650V（VDSS/V）。其导通电阻（RDSON）为33毫欧，确保了在高电压应用中维持较低的能量损耗。栅源电压（VGS/V）支持从-5V到+20V的范围，增强了使用的灵活性。这些特性使其非常适合应用于要求高效能与高频率操作的电源转换解决方案中，如便携式电子产品充电设备或消费类电子产品中的电源管理系统。
- 商品型号
- HE3M0045065K
- 商品编号
- C42389167
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.78克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 49A | |
| 耗散功率(Pd) | 242W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 96nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.823nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 190pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 49mΩ |