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HUJ3C120070K3S
ID:32A VDSS:1200V RDON:75mR N沟道
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- 描述
- 这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有32A的最大工作电流ID/A，适用于需要较大电流的应用。其承受的漏源电压VDSS/V高达1200V，适用于高压环境。导通电阻RDSON/mΩ为75毫欧，有助于降低能耗。栅源电压VGS/V的最大值为15V，确保了可靠的门极驱动。碳化硅材料的优势在于其优异的热性能和高频率操作能力，这使得该MOSFET成为电力转换解决方案中的理想选择，尤其适用于追求高效与可靠性的电子设备中。
- 商品型号
- HUJ3C120070K3S
- 商品编号
- C42389165
- 商品封装
- TO-247-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.82克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 54nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.39nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 58pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ |