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HIMW120R045M1XKSA1
ID:55A VDSS:1200V RDON:40mR N沟道
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- 描述
- 该碳化硅场效应管(MOSFET)是一款N沟道器件，具有出色的电气性能。其最大漏极电流ID为55A，能够承受高达1200V的漏源电压VDSS，确保了在高压应用中的可靠表现。低至40mΩ的导通电阻RDON有助于减少功率损耗，提高系统效率。此外，这款MOSFET的工作栅源电压VGS范围是18V，适用于需要高效能和高稳定性的电子设计场合。它结合了快速开关速度与坚固耐用的特点，非常适合于对性能有严格要求的领域。
- 商品型号
- HIMW120R045M1XKSA1
- 商品编号
- C42389163
- 商品封装
- TO-247-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 耗散功率(Pd) | 278W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.44nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 输出电容(Coss) | 171pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ |