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HAIMW120R080M1XKSA1
ID:36A VDSS:1200V RDON:80mR N沟道
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- 描述
- 这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有出色的电气特性，其最大工作电流ID/A为36A，可承受的漏源电压VDSS/V为1200V。导通状态下，其RDSON/mΩ仅为80毫欧，有助于减少能量损耗。栅源电压VGS/V的规格为±20V，使得该组件能够在多种电路配置中实现稳定的性能。由于碳化硅材料固有的优势，这种MOSFET能够在高温和高频条件下工作，适用于高性能电力转换及逆变技术领域，为设计者提供了构建紧凑且高效的电力处理系统的可能性。
- 商品型号
- HAIMW120R080M1XKSA1
- 商品编号
- C42389164
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 耗散功率(Pd) | 192W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 71nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.13nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.6pF | |
| 工作温度 | -56℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 92pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 98mΩ |