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HNTH4L060N065SC1
ID:49A VDSS:650V RDON:33mR N沟道
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- 描述
- 这款碳化硅场效应管（MOSFET）属于N沟道类型，具有49A的连续电流能力（ID），并能在最高650V（VDSS）的电压下稳定工作。其导通电阻仅为33毫欧（RDSON），有助于减少能量损耗。该MOSFET设计的工作栅源电压范围是-5V至+20V（VGS），确保了在多种电路条件下的可靠性与灵活性。这些特性使其适用于高频率开关电源、太阳能逆变器以及其他要求高效能转换的应用中。
- 商品型号
- HNTH4L060N065SC1
- 商品编号
- C42389152
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.78克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 49A | |
| 耗散功率(Pd) | 242W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 96nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.823nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 190pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 49mΩ |
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