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HMSC080SMA120B
ID:36A VDSS:1200V RDON:80mR N沟道
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- 描述
- 这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有36A的连续排水电流（ID），并且能够承受高达1200V的漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）为80毫欧，有助于减少导通状态下的功率损耗。栅源电压（VGS）为20V，提供稳定的开关性能。适用于需要高压和较高效率的应用领域，例如高频逆变器、不间断电源系统以及精密的电源供应单元。
- 商品型号
- HMSC080SMA120B
- 商品编号
- C42389157
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 耗散功率(Pd) | 192W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 71nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.13nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.6pF | |
| 工作温度 | -56℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 92pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 98mΩ |