HS2M0016120D

ID:115A VDSS:1200V RDON:16mR N沟道

描述

这款碳化硅场效应管（MOSFET）拥有115A的连续漏极电流（ID），1200V的断态漏源电压（VDSS），导通电阻（RDON）低至16毫欧，支持15V的栅源电压（VGS），采用N沟道设计。其卓越的电气性能使其成为高效电源转换、精密电子设备及可再生能源系统中逆变器的理想选择，尤其适用于需要高效率、低损耗的电路设计场景。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

HS2M0016120D

商品编号

C42389158

商品封装

TO-247-3L​

包装方式

管装

商品毛重

7.732克(g)