HIMW120R014M1HXKSA1
ID:115A VDSS:1200V RDON:16mR N沟道
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- 描述
- 这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有115A的连续电流承载能力（ID/A），并且能够承受最高1200V的漏源电压（VDSS/V）。其导通电阻（RDSON/mΩ）低至16毫欧，有助于降低系统功耗。栅源电压（VGS/V）为15V，确保了精确的开关控制。该MOSFET适用于需要高功率密度和高效能转换的应用场合，能够在高压环境下提供稳定的电流控制功能。
- 商品型号
- HIMW120R014M1HXKSA1
- 商品编号
- C42389159
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.732克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 第三代碳化硅MOSFET技术
- 高阻断电压与低导通电阻
- 低电容的高速开关
- 低反向恢复的快速本征二极管(Ωπ)
- 无卤，符合RoHS标准
应用领域
- 太阳能逆变器
- 电动汽车电机驱动
- 高压直流/直流转换器
- 开关模式电源
- 负载开关