HIMW120R014M1HXKSA1

ID:115A VDSS:1200V RDON:16mR N沟道

描述

这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有115A的连续电流承载能力（ID/A），并且能够承受最高1200V的漏源电压（VDSS/V）。其导通电阻（RDSON/mΩ）低至16毫欧，有助于降低系统功耗。栅源电压（VGS/V）为15V，确保了精确的开关控制。该MOSFET适用于需要高功率密度和高效能转换的应用场合，能够在高压环境下提供稳定的电流控制功能。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

HIMW120R014M1HXKSA1

商品编号

C42389159

商品封装

TO-247​

包装方式

管装

商品毛重

7.732克(g)