HIMZ120R140M1HXKSA1

ID:19A VDSS:1200V RDON:160mR N沟道

描述

这款N沟道碳化硅场效应管(MOSFET)具备19A的最大漏极电流和高达1200V的漏源电压，适用于需要高电压处理能力的应用场景。其导通电阻为160mΩ，有助于平衡性能与功耗。栅源电压范围达到20V，确保了良好的驱动兼容性。该MOSFET特别适合于高性能电源管理、可再生能源转换系统等领域，在这些应用中，它能够提供稳定可靠的电气性能，并且支持紧凑的设计需求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

HIMZ120R140M1HXKSA1

商品编号

C42389161

商品封装

TO-247-4L​

包装方式

管装

商品毛重

8.072克(g)