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HNVH4L045N065SC1
ID:97A VDSS:650V RDON:25mR N沟道
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- 描述
- 这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有97A的ID/A额定电流，适用于处理较大负载的应用。其最大漏源电压VDSS/V为650V，确保了在高压环境下的可靠性。导通状态下，该MOSFET的RDSON/mΩ仅为25毫欧，有助于减少能量损耗。工作栅源电压VGS/V范围是-5V到+20V，为电路设计提供了灵活性。此元件适合应用于需要高效能电力转换和精确控制的场合，如高性能计算设备中的电源管理系统或消费电子产品内的开关模式电源。
- 商品型号
- HNVH4L045N065SC1
- 商品编号
- C42389160
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.88克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 97A | |
| 耗散功率(Pd) | 429W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 172nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.28nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 359pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ |