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HIMZ120R030M1HXKSA1
ID:63A VDSS:1200V RDON:32mR N沟道
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- 描述
- 这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有63A的连续电流ID/A，最高承受电压VDSS/V为1200V，并拥有32毫欧的导通电阻RDSON/mΩ，栅源电压VGS/V为±15V。凭借其卓越的电气特性，此器件特别适合应用于需要高电压、大电流及低功耗的场合，例如高性能服务器电源模块、复杂电子系统的开关电源以及便携式储能设备的充电电路，能够在这些应用中实现高效的能量转换与管理。
- 商品型号
- HIMZ120R030M1HXKSA1
- 商品编号
- C42389155
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.28克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 63A | |
| 耗散功率(Pd) | 283W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 118nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.357nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 129pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ |