HIMZ120R090M1HXKSA1

ID:32A VDSS:1200V RDON:75mR N沟道

描述

这款N沟道碳化硅场效应管(MOSFET)专为高性能需求设计，最大漏极电流可达32A，支持1200V的漏源电压，适用于高电压环境。其导通电阻为75mΩ，有助于减少功耗并提高效率。栅源电压为15V，确保了良好的驱动特性。此MOSFET适合应用于要求高效能与紧凑尺寸相结合的领域，如高端电源解决方案或需要在严苛条件下保持可靠性的电力转换系统中。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

HIMZ120R090M1HXKSA1

商品编号

C42389156

商品封装

TO-247-4L​

包装方式

管装

商品毛重

8.072克(g)