HIMZ120R090M1HXKSA1
ID:32A VDSS:1200V RDON:75mR N沟道
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- 描述
- 这款N沟道碳化硅场效应管(MOSFET)专为高性能需求设计，最大漏极电流可达32A，支持1200V的漏源电压，适用于高电压环境。其导通电阻为75mΩ，有助于减少功耗并提高效率。栅源电压为15V，确保了良好的驱动特性。此MOSFET适合应用于要求高效能与紧凑尺寸相结合的领域，如高端电源解决方案或需要在严苛条件下保持可靠性的电力转换系统中。
- 商品型号
- HIMZ120R090M1HXKSA1
- 商品编号
- C42389156
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.072克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 第三代碳化硅MOSFET技术
- 带有独立驱动源引脚的优化封装
- 高阻断电压与低导通电阻
- 低电容的高速开关
- 具有低反向恢复（Qrr）的快速本征二极管
- 无卤，符合RoHS标准
应用领域
- 可再生能源
- 电动汽车电池充电器
- 高压DC/DC转换器
- 开关模式电源