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HIMZA65R072M1HXKSA1
ID:29A VDSS:650V RDON:60mR N沟道
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- 描述
- 这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有29A的连续电流（ID）处理能力，并且能够在高达650V（VDSS）的电压环境下可靠工作。其导通电阻（RDSON）仅为60毫欧，有助于降低能耗。该MOSFET设计的工作栅源电压（VGS）为±15V，能够适应不同类型的驱动信号。这些特性使得它非常适合应用于需要高效能和高频率操作的场合，例如便携式电子设备充电器、家用电器的电源模块以及高性能计算系统的电源供应单元等。
- 商品型号
- HIMZA65R072M1HXKSA1
- 商品编号
- C42389154
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.24克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 37A | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.02nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 80pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 79mΩ |