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HAIMZH120R030M1T
ID:117A VDSS:1200V RDON:33mR N沟道
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- 描述
- 这款碳化硅场效应管(MOSFET)为N沟道类型，具有出色的电气性能。其最大漏极电流可达117A，支持高达1200V的漏源电压，确保了在高压环境下的稳定运行。导通电阻仅为33mΩ，有效降低能耗并提高效率。栅源电压范围从-4V至+18V，提供广泛的驱动兼容性。该产品适用于需要高效能、高可靠性的电力转换场景，如可再生能源系统或高性能电源供应装置中，能够满足对尺寸紧凑同时要求高性能的应用需求。
- 商品型号
- HAIMZH120R030M1T
- 商品编号
- C42389153
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 117A | |
| 耗散功率(Pd) | 556W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 222nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.508nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 214pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 49mΩ |
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