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HIMW65R048M1H
ID:49A VDSS:650V RDON:33mR N沟道
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- 描述
- 这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具备稳健的电气性能，连续导通电流ID可达49A，适用于多种高电流密度的设计。其最大漏源击穿电压VDSS为650V，确保了在高压应用中的可靠性。该器件拥有较低的导通电阻RDSON，仅为33毫欧，有助于减少热损耗，提高系统效率。栅源电压VGS的阈值范围是-5V至+20V，便于实现精确的开关控制。此MOSFET可广泛应用于需要高效率及高可靠性的电子装置中，如高频开关电源和其他注重性能稳定性的解决方案。
- 商品型号
- HIMW65R048M1H
- 商品编号
- C42389151
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 49A | |
| 耗散功率(Pd) | 242W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 96nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.823nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 190pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 49mΩ |
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