HNTH4L160N120SC1

ID:19A VDSS:1200V RDON:160mR N沟道

描述

这款碳化硅场效应管（MOSFET）属于N沟道类型，其最大导通电流ID为19A，在保证安全工作的前提下，能够承受的最大漏源电压VDSS为1200V。该器件的导通电阻RDSON仅为160毫欧，有助于减少能量损耗。其栅源电压VGS的最大值为20V，确保了良好的开关性能。此MOSFET适用于需要高电压处理能力和低电阻特性的电子设计中，能够在多种电路条件下提供可靠的电流控制功能。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

HNTH4L160N120SC1

商品编号

C42389149

商品封装

TO-247-4L​

包装方式

管装

商品毛重

8.072克(g)