HNVH4L080N120SC1

ID:32A VDSS:1200V RDON:75mR N沟道

描述

这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）的最大导通电流（ID）为32A，适用于高密度功率应用场合。器件拥有高达1200V的漏源电压（VDSS），能够确保在高压条件下依然保持稳定性能。导通电阻（RDSON）为75毫欧，有助于减少能量损耗，提升系统的整体效率。栅源电压（VGS）的最大值为15V，确保了良好的开关控制特性。该MOSFET凭借其优异的电气特性，适用于各种需要耐高压和低损耗的高频开关电路设计。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

HNVH4L080N120SC1

商品编号

C42389148

商品封装

TO-247-4L​

包装方式

管装

商品毛重

8.072克(g)